Protection améliorée des données en cas de panne de courant
La protection améliorée des données en cas de panne de courant prépare les unités de stockage SSD aux pertes de puissance imprévues du système en minimisant le volume de données en transit dans des mémoires tampons temporaires. Elle utilise la capacité de protection embarquée contre les pannes de courant afin de fournir suffisamment d'énergie au microprogramme de l'unité de stockage pour lui permettre de déplacer les données depuis la mémoire tampon de transfert et les autres mémoires tampons temporaires vers la mémoire NAND, protégeant ainsi les données du système et des utilisateurs.
High Endurance Technology (HET)
La technologie HET (High Endurance Technology) dans les unités de stockage SSD associe les améliorations de la puce de la mémoire Flash NAND Intel® et les techniques de gestion des unités de stockage SSD NAND pour augmenter l'endurance de ces unités. L'endurance est définie comme le volume de données inscriptible sur unité de stockage SSD au cours de sa durée de vie.
Gestion et consignation de la température
Les fonctions de contrôle de la température et de consignation utilisent un capteur de température interne afin de surveiller la température intérieure de l'appareil et le débit d'air et de consigner ces informations. Les résultats consignés sont accessibles via la commande SMART.
Protection des données de bout en bout
La protection des données de bout en bout garantit l'intégrité des données stockées de l'ordinateur vers l'unité de stockage SSD et inversement.
Product family Data center SSD
Latence (écriture) 20 µs
Consommation électrique (Lecture) 10 W
Consommation électrique (Ecriture) 25 W
Consommation électrique (idle) 4 W
Lithographie 20 nm
Protection des données de bout en bout Oui
Lecture séquentielle 2600
Ecriture séquentielle 1700
Lecture aléatoire (100% de l'étendue) 450000 IOPS
En écriture aléatoire (100% de l'étendue) 56000 IOPS
Product series Intel DC P3600
Product codename Fultondale
URL de description du produit http://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/product-briefs/intel-ssd-dc-family-for-pcie-brief.pdf
Latence (lecture) 20 µs
Taux d'erreur non corrigeable Bit (UBER) less than 1 sector per 1e17 bits read
Lecture aléatoire (8 Ko) 275000 IOPS
Écriture aléatoire (8 Ko) 33000 IOPS
Perte de puissance Enhanced Data Protection technologies Oui
Technologie High Endurance Technology (HET) d'Intel Oui
